হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইডের গঠন

বোরন নাইট্রাইড (BN) চমৎকার বৈশিষ্ট্য এবং দুর্দান্ত বিকাশের সম্ভাবনা সহ একটি অভিনব ওয়াইড-ব্যান্ড গ্যাপ ন্যানোমেটেরিয়াল। এটি ⅲ - ⅴ গ্রুপের একটি সাধারণ যৌগ, যা নাইট্রোজেন পরমাণু এবং বোরন পরমাণু দ্বারা গঠিত। নাইট্রোজেন পরমাণু এবং বোরন পরমাণু একে অপরের সাথে বিভিন্ন হাইব্রিড উপায়ে একত্রিত হয়ে বোরন নাইট্রাইড গঠন করে বিভিন্ন ফেজ কাঠামোর সাথে: হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড (H-BN), রম্বোইডাল বোরন নাইট্রাইড (R-BN), কিউবিক বোরন নাইট্রাইড (C-BN), wurtzite বোরন নাইট্রাইড (W-BN), এবং অর্থোগোনাল বোরন নাইট্রাইড (O-BN)। এদের মধ্যে, হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাইড হল একমাত্র বোরন নাইট্রাইড ফেজ যা প্রকৃতিতে বিদ্যমান।

Hexagonal boron nitride belongs to hexagonal crystal system, with the same hexagonal crystal structure as graphene. Its lattice constant A =0.2504nm, C =0.6661nm, is stacked by multi-layer structure. B-n-b between layers is connected by van der Waals force, easy to be peeled off, light in mass, non-conductive, with a wide band gap (5.1eV). It has the advantages of high hardness (Mohr hardness 2), high melting point (>3000K), 900 ডিগ্রির উচ্চ অক্সিজেন প্রতিরোধের, 2000 ডিগ্রির উচ্চ তাপমাত্রার প্রতিরোধের, কম তাপ সম্প্রসারণ/সঙ্কোচনের হার, সি-অক্ষ বরাবর ভাল তাপ অপচয়, এবং অ্যাপ্লিকেশনগুলির বিস্তৃত পরিসর রয়েছে। অধিকন্তু, একক বা বহু-স্তর ষড়ভুজ বোরন নাইট্রাস টিউব ন্যানোম্যাটেরিয়ালগুলিকে হেক্সাগোনাল বোরন নাইট্রাস টিউবে ক্রিম করা যেতে পারে।